- 1 石墨坩堝爐內(nèi)溫度分布不均，局部過(guò)熱
- 2 高純石墨坩堝的抗壓強(qiáng)度雖達(dá)200MPa
- 3 高純石墨坩堝硬度高
- 4 高純石墨坩堝的導(dǎo)熱性好
- 5 高純石墨坩堝需經(jīng)等靜壓成型（200MPa壓力）和高溫?zé)Y(jié)（2800℃）
- 6 高純石墨坩堝的突然裂開堪稱 “生產(chǎn)事故”
- 7 高純石墨坩堝為什么會(huì)裂開？6大原因讓坩堝 “短命”
- 8 高純石墨坩堝裂開絕非偶然
- 9 石墨坩堝的等級(jí)區(qū)別體現(xiàn)在原料、性能和適用場(chǎng)景等多個(gè)方面
- 10 石墨坩堝的適用場(chǎng)景決定等級(jí)選擇
- 11 石墨坩堝的導(dǎo)熱與抗熱震性能
- 12 石墨坩堝的純度與雜質(zhì)含量
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)多晶硅生產(chǎn)用石墨制品
半導(dǎo)體工業(yè)多晶硅出產(chǎn)用石墨制品
多晶硅出產(chǎn)用石墨制品
硅半導(dǎo)體用的多晶硅出產(chǎn)用石墨制品。當(dāng)今，硅資料是以存儲(chǔ)器為中心的半導(dǎo)體工業(yè)所運(yùn)用的首要質(zhì)料。其出產(chǎn)制造過(guò)程中許多運(yùn)用多晶硅出產(chǎn)用石墨制品。
多晶硅的出產(chǎn)工藝為，將純度較高的石英石（SiO2）混以焦炭、木炭等炭素資料，高溫下加熱恢復(fù)，生成金屬硅（純度約為98％）；然后在反響爐內(nèi)使金屬硅微粉和氯化氫氣體反響組成硅烷氣體；通過(guò)重復(fù)精粹前進(jìn)硅烷氣體的純度。
接下來(lái)的工序首要分為兩種方法。一種是將三氯硅烷（ SiHCl3）和氫氣的混合氣體通入溫度為1100℃的石英容器，使其蒸結(jié)在容器中聳峙的多晶硅芯棒的表面，并使芯棒的直徑逐步變粗至150~200mm的方法（CVD法，稱之為西門子法另一種是將硅粉末和單硅烷/氫的混合氣體通入流化床反響容器內(nèi)，加熱到600℃，使硅烷分解，反響后生成1mm左右的顆粒狀多晶硅的方法，稱之為流化床法。
作為上述制造工藝中所運(yùn)用的多晶硅出產(chǎn)用石墨制品，首先是在硅烷氣體制造過(guò)程中運(yùn)用的用超大型等靜壓石墨制成的1000mm的反響容器。由于超越1000℃要與含硅或氫的周圍氣體觸摸，有必要具有高溫強(qiáng)度和耐化學(xué)反響性。在接下的多晶硅CVD出產(chǎn)法中，運(yùn)用高純石墨制成的部件有多晶硅芯棒的堅(jiān)持器兼作通電電極、氣體導(dǎo)入的通氣嘴和加熱器。另外，用流化床法出產(chǎn)顆粒狀多晶硅時(shí)，也運(yùn)用1000mm的高純石墨反響容器，但是為了防止硅烷氣體泄露，在其表面要進(jìn)行SC涂層處理。